《III-Nitride Materials, Devices, and Nano-Structures：纳米结构材料与器件研究进展》
作者：S. M. Sze, J. S. Hong
出版社：John Wiley & Sons, Inc.
出版时间：2014年
《III-Nitride Materials, Devices, and Nano-Structures》是一本由S. M. Sze和J. S. Hong合著的权威书籍，由John Wiley & Sons, Inc.于2014年出版，本书详细介绍了III族氮化物材料在器件和纳米结构领域的最新研究进展，为读者提供了关于这一领域的全面知识和深入见解。
书评：
本书的作者S. M. Sze是国际知名的半导体物理和器件专家，他在半导体领域的研究成果享誉全球，另一位作者J. S. Hong也是一位杰出的学者，在III族氮化物材料的研究方面有着丰富的经验，两位作者的合著使得本书在内容上更加全面和深入。
本书的介绍如下：
第一章：引言
本章简要介绍了III族氮化物材料的研究背景、发展历程以及其在光电子和微电子领域的应用前景。
第二章：III族氮化物材料的物理性质
本章详细讨论了III族氮化物材料的电子结构、能带结构、光学性质和电学性质，为后续章节的器件和纳米结构研究奠定了基础。
第三章：III族氮化物材料生长技术
本章介绍了III族氮化物材料的各种生长技术，包括分子束外延（MBE）、金属有机化学气相沉积（MOCVD）和氢化物气相外延（HVPE）等，并分析了不同生长技术的优缺点。
第四章：LED和激光器器件
本章重点介绍了基于III族氮化物的发光二极管（LED）和激光器器件的研究进展，包括器件结构、材料选择、性能优化等方面。
第五章：高频和高速电子器件
本章讨论了基于III族氮化物的场效应晶体管（FET）和高电子迁移率晶体管（HEMT）等高频和高速电子器件的研究进展。
第六章：纳米结构材料
本章介绍了III族氮化物材料的纳米结构制备技术，包括纳米线、纳米管和纳米盘等，并探讨了其在光电子和微电子领域的应用。
第七章：未来展望
本章对III族氮化物材料在器件和纳米结构领域的未来发展进行了展望，提出了可能的挑战和机遇。
《III-Nitride Materials, Devices, and Nano-Structures》是一本内容丰富、结构严谨的学术著作，本书不仅为读者提供了关于III族氮化物材料的基础知识，还深入探讨了器件和纳米结构领域的最新研究进展，对于从事相关领域研究的学者和学生来说，本书是一本不可或缺的参考资料。